碳化硅 均流裝置,高頻的特點(diǎn),非常適合電網(wǎng)應(yīng)用,其廣泛應(yīng)用將推動(dòng)電網(wǎng)的電力電子化進(jìn)程碳化硅器件已在電網(wǎng)中低壓場(chǎng)景得到了廣泛應(yīng)用,可提顯著升裝置效率、功率密度等關(guān)鍵指標(biāo)高壓大功率碳化硅器件本屆分會(huì)上的碳化硅專場(chǎng),日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會(huì)主席Kimimori HAMADA,中電科五十五所教授級(jí)高工、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家實(shí)驗(yàn)

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐壓,頻率和損耗等特性均優(yōu)于硅(Si)器件,然而SiC器件抗沖擊能力差,電磁干擾大,且SiC器件對(duì)整個(gè)功率變換系統(tǒng)的貢獻(xiàn)尚缺乏具體包括:碳化硅材料性能對(duì)芯片電氣特性的影響機(jī)理提高芯片電氣性能及功率的結(jié)構(gòu)和方法器件封裝多芯片并聯(lián)均流、電氣絕緣、電磁兼容和驅(qū)動(dòng)保護(hù)方法器件的老化機(jī)理和可靠性

4.5.3 采用碳化硅非線性電阻的滅磁裝置,參照4.5.2的有關(guān)規(guī)定。 4.5.4 滅磁開關(guān)在強(qiáng)勵(lì)情況下允許持續(xù)工作時(shí)間應(yīng)符合4.2.3要求。合閘和跳閘要可靠,開關(guān)電弧不應(yīng)外噴。 4.6 冷卻、元件10.本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的用于發(fā)電機(jī)滅磁的自動(dòng)均流型氧化鋅電阻裝置,通過將高能氧化鋅電阻組件和碳化硅電阻閥片串聯(lián)形成均流支路,并將多個(gè)均流支路并聯(lián)

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可以看到,均流效率為兩個(gè)電流之間的差值除以一個(gè)平均值,得到1.6%、0.9%和1.1%。尖峰電壓控制在2200V,雙倍額定電流關(guān)斷也可以控制在2300V,效果非常好,均流和電壓都控制得不錯(cuò)。 如爐膛、爐管、耐磨導(dǎo)軌、碳化硅匣缽、承燒板、推板、棚板、窯爐燒嘴。電廠用碳化硅均流器,熱輻 射極管及有色金屬冶煉中爐體內(nèi)襯測(cè)溫管,熔融金屬管道等,異型件系列 噴沙嘴系列

碳化硅MOSFET并聯(lián)均流的研究碳化硅MOSFET并聯(lián)均流的研究InvestigaticurrentparallelingSiCMOSFET10027)摘要:碳化硅(SiC)材料是一種新型寬禁帶半導(dǎo)體材料。本文我們不僅要對(duì)每個(gè)模塊的左右電流均流度進(jìn)行確認(rèn),還要對(duì)不同模塊同一側(cè)電流進(jìn)行比較,這樣能保證器件并聯(lián)后達(dá)到的輸出電流。圖8和圖9分別是4個(gè)并聯(lián)模塊的開通和關(guān)斷電流,上升和下

直流配電網(wǎng)故障特性分析與碳化硅固態(tài)斷路器研制.pdf,直流配電網(wǎng)故障特性分析與碳化硅固態(tài)斷路器研制 摘要 隨著電力電子技術(shù)和分布式發(fā)電技術(shù)的迅速發(fā)展以及直本文對(duì)sicmosfet這一種新型器件的并聯(lián)均流情況進(jìn)行了研究其中搭建了雙脈沖測(cè)試平臺(tái)來對(duì)兩路器件進(jìn)行測(cè)試并利用此平臺(tái)隨機(jī)選取了兩塊sicmosfet分別在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)情況下觀察了其均流情況同時(shí)還在相同

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開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)pdf,摘要:討論幾種常用的開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)、闡述其主要淺析基于碳化硅MOSFET的諧振LLC和移相電路.docx 淺析寬電壓輸入半橋型LLC諧高校及產(chǎn)業(yè)單位經(jīng)歷了6年的自主攻關(guān)實(shí)現(xiàn)了6.5kV級(jí)碳化硅材料芯片器件測(cè)試驅(qū)動(dòng)裝置應(yīng)用全鏈條技術(shù)突破,研制了同電壓等級(jí)國(guó)際上電流的6.5kV/400A碳化硅MOSFET模塊應(yīng)用于35k

·并聯(lián)連接的均流特性 ·二極管恢復(fù)特性 ·開關(guān)損耗的測(cè)定。 雙脈沖測(cè)試裝置如圖1所示。 ——— 圖1 雙脈沖測(cè)試裝置 如圖1所示的雙脈沖測(cè)試需要的組件為:直流電源,放電電路,直流母線,脈沖信號(hào)發(fā)碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表,擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng),與相同結(jié)構(gòu)的硅器件相比,碳化硅器件可以達(dá)到10倍的耐壓,4倍的電流,10倍的工作頻