目前多晶硅的主流制備過程包括:將冶金級硅粉通過改良西門子法,在cvd反應(yīng)器中采用硅芯載體電加熱的方式,氣相沉積制得多晶硅棒,多晶硅棒經(jīng)破碎獲得塊狀硅材料用于拉制單晶硅棒。多晶756.33硅料、單晶產(chǎn)品錠均已交付均已回款泉州恒普光伏有限公司3,160.62單晶硅棒、單晶硅片均已交付均已回款杞縣東磁新能源有限公司3,145.69 硅料、單晶硅片、單晶產(chǎn)品錠
10、自動硅料破碎工30人 崗位要求:高以上學(xué)歷,年齡40歲以下,能適應(yīng)倒班。 11、手動硅料破碎工9人 崗位要求:初中以上學(xué)歷,年齡40歲以下,能適應(yīng)倒班。 12、打磨工5人 崗位要求:阿里巴巴為您找到47條關(guān)于多晶硅硅料生產(chǎn)商的工商注冊年份、員工人數(shù)、年營業(yè)額、信用記錄、主營產(chǎn)品、相關(guān)多晶硅硅料產(chǎn)品的供求信息、交易記錄等企業(yè)詳情。
筆者也因多年重倉持有該公司股票而遭受滅頂之災(zāi),幾乎傾家蕩產(chǎn)。以下各圖,大致說明直拉單晶原理、高溫直拉爐內(nèi)直拉硅棒生長、現(xiàn)有先進連續(xù)投料CCZ直拉單晶爐、還有單晶硅棒產(chǎn)品。 (廢舊硅料,如切割報廢棒/錠、鍋底料、邊皮料、擋頭料等,如何將這些廢舊硅料進行加工預(yù)處理,便于后期分選清洗、回收再利用,變成極高應(yīng)用價值的原材料,對于我國光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)
脈沖破碎是用高電壓脈沖把多晶硅棒在水中擊碎。優(yōu)點是生產(chǎn)過程中污染少缺點是效率低,只能生產(chǎn)幾百公斤,無法滿足生產(chǎn)需要。 熱破碎是把硅料加熱后迅速冷卻,通過熱脹冷縮來破碎上游——硅料的制備、拉棒和硅片的制造 硅料是使用工業(yè)硅經(jīng)一系列工藝提純后生成。硅料環(huán)節(jié)是典型重資產(chǎn)環(huán)節(jié),投產(chǎn)周期較長,在當前供需形勢下,市場集中度持續(xù)提升。目前有兩類主流的生產(chǎn)多晶硅方式
7.熔化結(jié)晶面,在此期間應(yīng)密切注意硅料液面熔化情況,一旦發(fā)生硅液面下降,立即停爐并上報管理人員。 8.待結(jié)晶全熔后,手動調(diào)節(jié)功率為引晶功率,溫度穩(wěn)定后,開始引晶。 9.若停電時棒狀多晶硅經(jīng)過一定的預(yù)處理去除碳頭、橫梁等不能直接進行破碎的部位后,通過硅棒抓取助力機械手將硅棒抓取、轉(zhuǎn)移破碎裝置101的破碎臺1011上,利用破碎錘1012將硅棒敲碎。 2016
在這爐生產(chǎn)結(jié)束后找機修查看原因在 清理波紋管。 出現(xiàn)液面抖動, 可先將鍋位放在不同位置觀察, 是否在那個位置都有抖動現(xiàn)象出現(xiàn), 如果僅僅在一個位置抖動,應(yīng)該是連桿上粘有硅料點造成的。可先用低來自精餾裝置的高純 三氯氫硅,將其送入三氯氫硅汽化器,通過流量計控制調(diào)節(jié)三氯氫硅氣體和氫氣的進料摩 爾比,混合氣經(jīng)過進氣加熱器被蒸汽加熱 150℃后由噴嘴進入還原爐,還原爐內(nèi)安
硅料 拉棒后破碎,棒狀硅后才能進行下一輪生產(chǎn)而還原爐產(chǎn)出的產(chǎn)品形態(tài)為直徑 130mm、長度 2.5m 的棒 狀硅,經(jīng)破碎后的致密料尺寸約 50100mm,進一步破碎的復(fù)投料尺寸約 850mm,因此 西門子法的產(chǎn)品因此,拉晶、切方中真正產(chǎn)生的損耗有:拉晶損耗2.31%,切方損耗2.16%,酸洗損耗0.29%,合計損耗4.76%。考慮到邊角料循環(huán)拉棒切方產(chǎn)生的損耗,經(jīng)過簡單的求極限可知硅
因此,拉晶、切方中真正產(chǎn)生的損耗有:拉晶損耗2.31%,切方損耗2.16%,酸洗損耗0.29%,合計損耗4.76%。考慮到邊角料循環(huán)拉棒切方產(chǎn)生的損耗,經(jīng)過簡單的求極限可知硅料合計損耗6.19%。"溫度振蕩"多晶硅熔化后,無任何機械振動的干擾,熔硅表面卻出現(xiàn)波動的現(xiàn)象。 產(chǎn)生掛邊和搭橋,一是由于坩堝內(nèi)裝料裝的不合要求,為什么呢?因為我們在單晶拉制中,考慮成本等因素,使用
上游——硅料的制備、拉棒和硅片的制造 硅料是使用工業(yè)硅經(jīng)一系列工藝提純后生成。硅料環(huán)節(jié)是典型重資產(chǎn)環(huán)節(jié),投產(chǎn)周期較長,在當前供需形勢下,市場集中度持續(xù)提升。目前有兩類主流的按加料方式分一次加料直拉法、連續(xù)加料直拉法連續(xù)加料直拉法又分液態(tài)加料法、固態(tài)加料法。 3.1.3.2 區(qū)熔法: 將預(yù)先處理好的多晶硅棒和籽晶,一起垂直固定在區(qū)熔爐上下軸間,以
硅烷流化床法直接電耗為西門子法的 10%,綜合電耗 為西門子法的 1/3其次顆粒硅無需破碎,可以直接拉晶使用,能填補硅塊空隙, 提高坩堝裝填量,進而提高拉晶產(chǎn)出顆粒硅大小形狀比較均待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定到合適引晶的溫度時,將籽晶慢慢接觸熔硅液面上方,使之預(yù)熱后籽晶將自動吸附熔硅液面,待光圈穩(wěn)定后提升拉速,進入下一工藝流程,接種時溫度盡可能的高一點。 7、
