(54)發(fā)明名稱 取向 AlN 燒結(jié)體及其制法 (57)摘要 取向 AlN 燒結(jié)體的制法的工序中,在 包含板面為 c 面、縱橫尺寸比為 3 以上、平均厚 度為 0.05～1.8μm 的氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱性能良好,是集成電路基板和電子封裝的理想材料。但氮化鋁為強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)合物,熔點(diǎn)高,自擴(kuò)散系數(shù)小,通常需要熱壓燒結(jié)才能制備出高致密的氮化鋁陶瓷

AlN陶瓷研究動(dòng)態(tài) 真空技術(shù)網(wǎng) 無(wú)壓燒結(jié)條件下,高導(dǎo)熱、真空致密的塊體AlN陶瓷材料的成功研制,為AlN陶瓷在電真空 真空技術(shù)網(wǎng) 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空在常壓燒結(jié)過(guò)程中,坯體不受外加壓力作用,僅在一般氣壓下經(jīng)加熱由粉末顆粒的聚集體轉(zhuǎn)變?yōu)榫Я＝Y(jié)合體,常壓燒結(jié)是簡(jiǎn)單、廣泛的的燒結(jié)方法。常壓燒結(jié)氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為16002

氮化鋁陶瓷的燒結(jié)難度 AlN屬于共價(jià)化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小,燒結(jié)致密化非常困難,通常需要使用稀土金屬氧化物和堿土金屬氧化物作為燒結(jié)助劑來(lái)促進(jìn)燒結(jié),但仍需要1800℃以上的燒結(jié)溫度。 近燒結(jié)是指陶瓷粉體經(jīng)壓力壓制后形成的素坯在高溫下的致密化過(guò)程,在燒結(jié)溫度下陶瓷粉末顆粒相互鍵聯(lián),晶粒長(zhǎng)大,晶界和坯體內(nèi)空隙逐漸減少,坯體體積收縮,致密度增大,直形成具有一定強(qiáng)

AlN陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展氮化鋁(AlN)因其具有高熱導(dǎo)率,作為基片材料在電子元器件中得到日益重視。本文主要論述了氮化鋁陶瓷制備過(guò)程中各種燒結(jié)參數(shù),包括燒結(jié)助劑氮化鋁(AlN)陶瓷基片是一種新型的基片材料,具有優(yōu)異的電性能、力學(xué)性能以及熱性能,其熱導(dǎo)率高(理論熱導(dǎo)率280W/m/K)、介電常數(shù)低(約為8.8)、擁有與硅Si相匹配的熱膨脹系數(shù)(293K773K,

電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機(jī)理 氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱性能良好,是集成電路基板和電子封裝的理想材料.但氮化鋁為強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)合物,熔點(diǎn)高,自擴(kuò)散系數(shù)小,通常需要熱壓燒結(jié)才能制備出高致本發(fā)明是為了解決上述課題而實(shí)施的,其主要目的在于,以較低的成本提供c面取向度高的AlN燒結(jié)體。 本發(fā)明的取向AlN燒結(jié)體的制法包括: 工序,該工序中,在AlN原料

aln燒結(jié),2、與氧雜質(zhì)反應(yīng),在晶界以YAl2O3和CaAl2O3化合物的形式析出,降低AlN 晶格的氧含量,起到純化晶格的作用,從而提高AlN燒結(jié)體的熱導(dǎo)率。 圖1 AlN陶瓷燒結(jié)助劑作用過(guò)程示意圖 三、燒結(jié)AlN陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展氮化鋁(AlN)因其具有高熱導(dǎo)率,作為基片材料在電子元器件中得到日益重視。本文主要論述了氮化鋁陶瓷制備過(guò)程中各種燒結(jié)參數(shù),包括燒結(jié)助劑

電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機(jī)理氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱性能良好,是集成電路基板和電子封裝的理想材料。但氮化鋁為強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)合物,熔點(diǎn)高,自擴(kuò)散系數(shù)小,通常需要熱壓燒結(jié)才能制備出高致福州派爾盛陶瓷有限公司是集氮化硼陶瓷、氮化鋁燒結(jié)、大型真空熱壓燒結(jié)爐、無(wú)壓氣氛燒結(jié)爐為一體的專業(yè)產(chǎn)品服務(wù)提供商,具有雄厚的科研實(shí)力、技術(shù)實(shí)力和經(jīng)濟(jì)實(shí)力。產(chǎn)品以雄厚的技術(shù)力量、先進(jìn)的設(shè)

求大神指點(diǎn),圖中氮化鋁陶瓷的花紋是什么原因造成:39:2015/0922/bw133h__803.jpgbcs1QQ圖片.jpg在常壓燒結(jié)過(guò)程中,坯體不受外加壓力作用,僅在一般氣壓下經(jīng)加熱由粉末顆粒的聚集體轉(zhuǎn)變?yōu)榫Я＝Y(jié)合體,常壓燒結(jié)是簡(jiǎn)單、廣泛的的燒結(jié)方法。常壓燒結(jié)氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為16002

實(shí)質(zhì)是借助外部施壓,依靠AlN粉末顆粒之間的相互作用力使坯體保持一定的形狀和致密度高致密坯體,其有利于陶瓷燒結(jié),可以降低燒結(jié)溫度,提高陶瓷致密度。由于AlN粉末易水解,干壓成型中常【摘要】:為了研究磷酸對(duì)AlN陶瓷燒結(jié)的影響,利用磷酸對(duì)AlN粉末進(jìn)行酸洗處理制備了具有較高抗水解能力的AlN粉末,在碳管爐氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行陶瓷燒結(jié)利用XRD和SEM對(duì)AlN陶瓷進(jìn)行了

氮化鋁陶瓷的燒結(jié)簡(jiǎn)介及調(diào)控摘要:AlN 陶瓷以其高的熱導(dǎo)率、低的介電常數(shù)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu) 點(diǎn),在模塊電路、可控硅整流器、大功率晶體管、大功率集成電路等電子器